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（米国発表のみ）クアルコムがTSMC社製45nmプロセス技術を使用したチップを実現

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先端半導体プロセス技術により、携帯端末の小型化、高速化、省電力化を推進

サンディエゴ発 - — 13-11-2007 — Qualcomm Incorporated（本社：米国カリフォルニア州、CEO：Paul E. Jacobs（ポール・E・ジェイコブス）、Nasdaq：QCOM、以下クアルコム）は本日、45nm（ナノメートル）プロセス技術で製造した3G端末向けチップを発表しました。CMOS半導体製造の次世代を担う45nmプロセス技術は、ウェハ1枚あたり製造できるチップ数を増やせるため、ダイコストの低減や、チップの集積度を高めるだけでなく、低消費電力で高速化も可能にします。この45nmのチップは、世界最大の半導体生産ファウンドリ、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company社（TSE：2330、NYSE：TSM）で製造されました。

「クアルコムが最先端の半導体プロセス技術を活用して、ワイヤレス通信を発展させることができるのは、TSMC社との密接で戦略的なファウンドリパートナーシップがあるからです。」と、Qualcomm CDMA Technologies（QCT）＜半導体部門＞製品管理担当シニア・バイス・プレジデントであるSteve Mollenkopf（スティーブ・モレンコフ）は述べています。「今回新たに刻んだマイルストーンは、新世代チップの市場投入に向けて、我々が前進していることを示しており、これにより、ユーザーが体験したことのないパフォーマンスと機能を提供します。」

「TSMC社の45nmプロセス技術を使用したクアルコムの最初の3G端末向けチップの成功は、エンドツーエンドの協力に基づいた、統合されたファウンドリモデルの証となるものです。両社で協力して設計と技術に取り組んだことで、市場投入までの期間を短縮できました。」と、TSMC社のオペレーションII担当シニア・バイス・プレジデントであるMark Liu（マーク・リュー）氏は述べています。「クアルコムの優れた設計とTSMCの確かな技術と製造力があれば、今後の成功も間違いありません。」

先ごろ、クアルコムは、高度な液浸リソグラフィ技術と層間絶縁膜に極低誘電率（Low-k）材料を使用した、低消費電力の45nmプロセスの設計を実現しました。このプロセス技術により、リーク電流の低減と高集積化が促進され、コスト効率を大幅に向上させながら、競争力のあるパフォーマンスを実現できます。また、クアルコムは、半導体のパフォーマンス、コスト、効率性にさらに優れた40nmプロセス技術も開発しています。

Qualcomm Incorporated（www.qualcomm.com）は、CDMAおよびその他の高度な技術をベースとした、最先端のデジタルワイヤレス通信製品およびサービスの開発、販売を行う世界のリーディングカンパニーです。クアルコムはカリフォルニア州サンディエゴに本社を置き、S&P 500インデックスと2007 FORTUNE 500®企業に含まれ、NASDAQ Stock Market®においてQCOMとして取引されています。

このニュースリリースには、ここに記載されている過去の事実に関する情報を除き、リスクや不確定さを伴う見通しについての記述が含まれています。クアルコムがCDMAのコンポーネントを順調に設計、予定通りに大量製造、そして利益水準に達するかどうか、CDMAの普及範囲と普及速度、クアルコムが関わるさまざまな市場の経済状況の変化、さらには2007年9月期フォーム10Kおよび最新のフォーム10QなどのクアルコムのSECリポートで適宜細部にわたって報告されているリスクが存在します。

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